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氮化碳
低密度高硬度的共價化合物
目前為止最硬的材料
基本信息
| 中文名 | 氮化碳 |
| 外文名 | Carbon nitride |
| 硬度 | 是目前為止最硬的材料 |
| 離子注入法 | 局域形成非平衡反應所需的條件 |
| 高溫高壓法 | 理論預言結晶氮化碳是亞穩(wěn)材料 |
理論預言
合成研究
在理論的預言下，人們采用各種手段試圖在實驗室合成出這種新的低密度高硬度的非極性共價鍵化合物，常用的制備方法有震蕩波壓縮、高壓熱解、離子注入、反應濺射、等離子體化學氣相沉積、電化學沉積、離子束沉積、低能離子輻射、脈沖電弧放電和脈沖激光誘導等，但這種超硬材料的合成結果并不理想，主要表現(xiàn)在沉積物多為非晶CN薄膜，少數(shù)實驗得到納米級尺寸的C3N4晶粒鑲嵌于非晶薄膜中，很少得到大顆粒的晶體。另外，目前又沒有天然存在的標樣，而且由于氮化碳幾種相態(tài)的能量相近，在制備的薄膜中很難得到單一相的氮化碳化合物，使得對這種材料的準確表征存在很多困難，如對IR光譜吸收峰位置的確切解釋，X射線衍射（XRD）或透射電鏡（TEM）結果與預言值之間的較大差別，Raman光譜僅表現(xiàn)為石墨或無定形碳膜的特征光譜等，這些困難使得目前的氮化碳的合成研究進展緩慢。但一些研究結果表明非晶CN薄膜也具有很高的硬度、耐磨性、儲氫性能以及優(yōu)異的場發(fā)射性能，值得人們深入研究。
高溫高壓法
理論預言結晶氮化碳是一種亞穩(wěn)材料，亞穩(wěn)材料合成的一個有效方法就是高溫高壓法。利用高溫高壓法人們已經(jīng)成功合成出毫米量級的金剛石和立方氮化硼，并廣泛應用于工業(yè)生產(chǎn)。Wixom利用沖擊波在高壓下作用于三聚氰胺樹脂的熱解產(chǎn)物，但只得到無定形碳和金剛石的混合物，這一結果可能是由于在高壓過程中金剛石相較結晶氮化碳更穩(wěn)定以及高壓過程中對熱力學反應缺乏有效的控制。迄今為止利用高溫高壓法仍未能合成結晶良好的氮化碳晶體。
離子注入法
氣相沉積法
首次關于β-C3N4晶體的人工合成實驗結果的報道是將高濃度的氮原子引入到脈沖激光燒蝕石墨靶產(chǎn)生的碳原子中，TEM數(shù)據(jù)與理論計算值相當吻合，分析證實了β-C3N4晶體的存在。但由于該方法制備的C—N膜的結晶仍然較差，且β-C3N4晶體的晶粒尺寸小于10nm，在該研究報道中并未給出氮化碳晶體直觀的SEM形貌圖。最早的β-C3N4晶體形貌照片是KMYU在氮氣氛下利用射頻濺射石墨靶分別研究Si和Ge基片上沉積時得到的氮化碳薄膜，并在Si基片上觀察到~1μm大小的單晶體。由于該單晶體只是在硅基片與C—N薄膜的界面出現(xiàn)，在C—N薄膜中很難發(fā)現(xiàn)，同時在Ge基片上不出現(xiàn)，且由于Si基片的影響，研究報道中未給出晶體組成原子的定量比，考慮到這些因素，該晶體很難排除Si原子的影響，而可能是在其他研究中發(fā)現(xiàn)的C3-xSixNy晶體。
液相電沉積法
近年來，液相電沉積技術也被用于氮化碳薄膜的合成研究中。目前在電沉積研究中，大多采用有機溶液作為電解液，合成的氮化碳薄膜多為非晶膜。紅外光譜分析（FT-IR）表明薄膜中存在C—N和C═N鍵。改變電極結構和提高工作電壓導致電極間出現(xiàn)火花放電的實驗證實薄膜中有C3N4晶體出現(xiàn)，分析表明含氮的有機物在強電場的作用下分子發(fā)生斷裂，生成了碳氮直接相連的分子碎片，有利于氮化碳晶體的生成，但XRD的結果分析中仍然存在不確定的衍射峰。電化學沉積氮化碳薄膜的機理也有待于進一步的研究。
在氮化碳晶體的合成研究中，采用相同的合成技術，不同的研究者在晶體形貌的直觀觀察、結構測定和光譜分析等方面很少有可以相互驗證的研究結果，這一點與上世紀80年代末發(fā)現(xiàn)另一種超硬材料金剛石可以用化學氣相沉積法來低壓合成后所面臨的研究狀況完全不相同，從這個角度來看，氮化碳晶體的合成尚有待尋求新的合成技術。
合成難點
由于實驗中很難得到大的高質(zhì)量的氮化碳單晶，氮化碳的結構表征也存在著很大的不確定性。在氮化碳的晶體結構表征中，早期的研究多是對所制得的主要由氮、碳組成的薄膜作X射線衍射分析，然后將衍射結果與理論預言值相比較，以此來分析氮碳薄膜的結晶情況。但由于理論預言的幾種氮化碳晶體的結合能非常接近，在生長過程中容易競相生長，不同相的XRD譜線可能重疊，同時薄膜的結晶度很低，X射線衍射的強度又比較低，使得衍射峰的歸宿存在很大的不確定性，從而降低了這種表征方法的可信度。利用透射電鏡對單個的微小晶體進行觀察測試可以得到較為準確的結果，但由于樣品的制備困難，這方面的研究報道較少。
由于采用多種方法所合成的氮化碳薄膜中氮碳原子比一般均比氮化碳晶體的理論配比小，因此氮在氮碳薄膜中的含量成為評價薄膜質(zhì)量的一個重要因素。在關于氮碳薄膜的氮碳原子的含量和化學鍵的分析研究中，X射線光電子能譜（XPS）、能量色散X射線分析（EDXA）以及Auger電子譜（AES）等技術被廣泛應用。薄膜中氮的含量隨反應等離子體中氮分壓的增加而增加，但通常是在氮分壓較小時，薄膜中氮原子的含量隨氮分壓的增加而快速增加，當?shù)謮狠^高后，薄膜中氮原子含量趨于飽和。在利用氮、碳離子束沉積中，薄膜中的氮含量在氮離子含量較低時，薄膜中氮的含量隨離子束中氮離子的含量的增加而增加，但當?shù)x子含量太高時，由于濺射效應，在Si基體上除了氮化硅薄膜的生成外，觀察不到氮化碳薄膜的生成。脈沖激光沉積中也有類似的規(guī)律。在薄膜結構的分析中，XPS分析技術被廣泛使用。通過對C1s、N1s譜線的擬合來確定薄膜中氮碳原子的含量和成鍵狀態(tài)。由于氮碳薄膜中雜質(zhì)原子的影響，XPS譜的擬合分析結果也不一致。在一些研究中，將XPS、Raman光譜和紅外光譜結果結合起來分析，得到可相互驗證的結果。通過對氮碳鍵的分析，尋找有利于sp3碳鍵C—N鍵形成的合成方法和條件，是合成β-C3N4晶體的關鍵。Raman光譜由于對石墨碳的靈敏度較高廣泛用于炭基材料的表征。各種氮化碳晶體的Raman光譜的特征峰位置已有理論計算值，但是目前在絕大多數(shù)關于氮化碳薄膜樣品的Raman光譜分析中，除了與碳有關的D峰和G峰外，很少有其他的與氮化碳晶體的理論計算的特征峰相吻合的報道。
研究方向
從目前的研究來看，氮化碳晶體的合成結果并不是很理想，主要表現(xiàn)在：（1）各種合成方法很難得到單一相的氮化碳晶體，多晶薄膜或非晶薄膜樣品給結構分析帶來很大困難；（2）合成產(chǎn)物的形貌、結構和光譜分析至今沒有出現(xiàn)相互支持、相互驗證的實驗結果。
基于氮化碳單晶體合成的困難，且由于高N含量的非晶態(tài)氮化碳薄膜也具有很多優(yōu)異的物理性質(zhì)，目前很多研究工作轉向氮化碳薄膜的結構和性能研究，包括化學氣相沉積條件對薄膜組成成分、光學性能的影響，氮化碳薄膜的力學性能的測定，摻雜對薄膜力學和光學性能的影響等。因此，回避氮化碳晶體結構的表征，尋求性能優(yōu)異的氮化碳薄膜的制備方法和應用途徑可能是近期關于氮化碳研究的一個主要方向。
問世影響
新近一種世界上最硬的新材料——氮化碳（β—C3N4）問世，迅速引起全世界科學界和工程技術界的強烈反響和巨大震動。
1993年7月，美國哈佛大學傳出轟動性的科技新聞：利用激光濺射技術研制成功氮化碳薄膜。分析表明，新材料具有β—C3N4結構，而具有這種結構的晶體硬度將超過目前世界上最硬的金剛石晶體，成為首屈一指的超硬新材料。
制備氮化碳的實驗是在1989年首先從理論上預言4年之后獲得成功的。在分析一系列超硬材料結構，如最硬的材料金剛石，體積彈性模量B高達435GPa（吉帕），立方氮化硼B=369GPa，以及硬度相對較低的碳化硅（SiC）、碳化硼（B4C）和氮化硅（Si3N4）等超硬材料后，發(fā)現(xiàn)其中β—Si3N4已經(jīng)有大量的研究結果，于是提出以C取代Si會產(chǎn)生怎樣的結果？計算表明，得到的數(shù)據(jù)令人振奮，β—C3N4晶體的體積彈性模量B=483GPa！而材料的體積彈性模量B的大小正是表征材料硬度高低的宏觀物理量。這就從理論上首次預言了氮化碳的硬度可能比以往世界上最硬的金剛石還要高。
在自然界，至今還沒有發(fā)現(xiàn)天然存在的氮化碳晶體，而1993年竟然在實驗室人工合成硬度超過金剛石的這種新材料。這一轟動性的事件一經(jīng)在美國《科學》和《紐約時報》上報道，成為轟動性科技新聞后，立即引起全世界材料界的關注。于是世界上許多實驗室開展了這項研究，一時間形成熱潮。在研究機構、國防部門和公司企業(yè)的共同協(xié)作下，一些實驗室很快取得很好的成果。這有力地說明，學者與企業(yè)家攜手合作在高新技術發(fā)展過程中的重要性。
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